斯特兰斯基-克拉斯坦诺夫生长简称S-K生长,是薄膜在结晶表面磊晶成长的三种主要模式之一。此生长机制包含两个过程:首先在基板上吸附成薄膜并开始层状累积,达到临界厚度时,会因应力和化学能导致薄膜转变为岛状成长模式 。S-K生长最早由Ivan Stranski 和Lyubomir Krastanov 在1938年发现 。直到1958年,S-K生长模式, Volmer-Weber生长模式, 和Frank–van der Merwe 生长模式才被恩斯特˙鲍尔(Ernst Bauer)在他的著作中正式归类为薄膜成长的三大主要机制。