词条 肖特基二极管

肖特基二极管

肖特基二极管(又译萧特基二极管)是一种导通电压降较低、允许高速切换的二极管,是利用肖特基势垒特性而产生的电子元件,其名称是为了纪念德国物理学家华特·肖特基(Walter H. Schottky)。

肖特基二极体的导通电压非常低。一般的二极管在电流流过时,会产生约 0.7-1.7 伏特的电压降,不过肖特基二极管的电压降只有 0.15-0.45 伏特,因此可以提升系统的效率。

肖特基二极管相关文献
肖特基势垒
优点正向偏置:受热激发的电子能够漫延到金属层。反向偏置:电子欲从半导体进入受到阻碍。由于肖特基势垒具有较低的界面电压,可被应用在某器件需要近似于一个理想二极管的地方。在电路设计中,它们也同时与一般的二极管及晶体管一起使用,其主要的功能是利用其较低的接面电压来保护电路上的其它器件。然而,自始至终肖特基器件相较于其它半导体器件来说能被应用的领域并不广。器件肖特基势垒自身作为器件即为肖特基二极管。肖特基势垒碳纳米管场效应晶体管FET:金属和碳纳米管之间的接触并不理想所以层错导致肖特基势垒,所以我们可以使用这一势垒来制作肖特基二极管或者晶体管等等。参见欧姆接触
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华特·肖特基
学历1904年由德国柏林的SteglitzGymnasium毕业。1908年于柏林大学获得物理学士,1912年于柏林大学在普朗克与HeinrichRubens指导下获得物理博士,论文名称是:ZurrelativtheoretischenEnergetikundDynamik。经历1912-14年间在耶拿大学作博士后研究,1919-23年间在维尔茨堡大学讲学,1923-27年间担任罗斯托克大学理论物理教授。1914-19,1927-58年间两度在西门子研究实验室(SiemensResearchlaboratories)工作。主要科学成就回顾起来,肖特基最重要的科学成就可说是1914年发现的知名古典公式,一个点电荷q,与距离x的金属平面间的相互作用能,现今写成-q/16πε0x获奖因发现热电子发射的散粒效应(肖特基称它是Schroteffect),也就是在高真空放电管中的自发性的电流变化,以及...
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二极管
功能半导体二极管的电流-电压特性曲线。电压在正的区域称为正向偏置。二极管具有阳极和阴极两个端子,电流只能往单一方向流动。也就是说,电流可以从阳极流向阴极,而不能从阴极流向阳极。对二极管所具备的这种单向特性的应用,通常称之为“整流”功能。在真空管内,借由电极之间加上的电压能够让热电子从阴极到达阳极,因而有整流的作用。将交流电转变为脉动直流电,包括无线电接收器对无线电信号的调制,都是通过整流来完成的。因为其顺向流通反向阻断的特点,二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上,二极管并不会表现出如此完美的开关性,而是呈现出较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。一般来说,只有在正向超过障壁电压时,二极管才会工作(此状态被称为正向偏置)。一个正向偏置的二极管两端的电压降变化只与电流有一点关系,并且是温度的函数。因此这一特性可用于温度传感器或参考电压。半导体二极管的非线性电流-电压...
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肖特基二极管
结构肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒,以产生整流的效果,和一般二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N结不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低,而且可以提高切换的速度。反向恢复时间肖特基二极管和一般二极管最大的差异在于反向恢复时间,也就是二极管由流过正向电流的导通状态,切换到不导通状态所需的时间。一般二极管的反向恢复时间大约是数百nS,若是高速二极管则会低于一百nS,肖特基二极管没有反向恢复时间,因此小信号的肖特基二极管切换时间约为数十pS,特殊的大容量肖特基二极管切换时间也才数十pS。由于一般二极管在反向恢复时间内会因反向电流而造成EMI噪声。肖特基二极管可以立即切换,没有反向恢复时间及反相电流的问题。肖特基二极管是一种使用多数载流子的半导体元件,若肖特基二极管是使用N型半导体,其二极管的特性是由多数载流子(即电子)所产生。多数载流子快速地由半导体穿过接面...
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光电二极管
工作原理光电二极管的工作曲线一个光电二极管的基础结构通常是一个PN结或者PIN结。当一个具有充足能量的光子冲击到二极管上,它将激发一个电子,从而产生自由电子(同时有一个带正电的空穴)。这样的机制也被称作是内光电效应。如果光子的吸收发生在结的耗尽层,则该区域的内电场将会消除其间的屏障,使得空穴能够向着阳极的方向运动,电子向着阴极的方向运动,于是光电流就产生了。实际的光电流是暗电流和光照产生电流的综合,因此暗电流必须被最小化来提高器件对光的灵敏度。光电压模式当偏置为0时,光电二极管工作在光电压模式,这时流出光电二极管的电流被抑制,两端电势差积累到一定数值。(太阳能电池)光电导模式当工作在这一模式时,光电二极管常常被反向偏置,急剧的降低了其响应时间,但是噪声不得不增加作为代价。同时,耗尽层的宽度增加,从而降低了结电容,同样使得响应时间减少。反向偏置会造成微量的电流(饱和电流),这一电流与光电流同...
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二极管
家族谱大览
5.管氏宗谱, 5, 卷5, 四房 宁公 6世廷韶公起, 1914
原书: [出版地不详] : 九一堂, 民国3[1914]. 14册: 插图, 世系表. 鼻祖(1世): (明)管谷英,号益英,行一籍. 同二兄管谷雄 ; 管谷豪自豫章南昌府南昌县迁居冈邑属九冲堰后易名管家寨. 谷英公下三子(2世): (明)管仲良 ; 管仲旻(三房) ; 管仲仁(四房). 仲良公下二子(3世): 管仕全(大房) ; 管仕谦(二房). 大房仕全公派下支祖(5世): (明)管隆 ; 管韶 ; 管辅. 二房仕谦公派下支祖(5世): (明)管沧 ; 管潜 ; 管珊 ; 管琛. 三房仲敏公派下支祖(5世): (明)管洛 ; 管渊. 四房仲仁公派下支祖(5世): (明)管宁 ; 管銮 ; 管檄 ; 管亮 ; 管琳...等 创修新派二十字(21世起): 作述荣先绪 昌开继克家 芳声传代美 彛训定宗华. 注: 创修管洪德,字心齐 ; 管洪章,字毓华. 注 : 此谱不全. 缺卷3(二房珊公与二房琛公). 注: 此谱部分页数破损, 模糊不清, 无法阅读. 注: 此谱书衣的卷数与版心不同,以版心为主. 散居地: 湖北省黄冈县等地. 书名据书衣题及版心题编目.
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3.管氏宗谱, 3, 卷2, 大房 隆公 6世玉宝公起, 1914
原书: [出版地不详] : 九一堂, 民国3[1914]. 14册: 插图, 世系表. 鼻祖(1世): (明)管谷英,号益英,行一籍. 同二兄管谷雄 ; 管谷豪自豫章南昌府南昌县迁居冈邑属九冲堰后易名管家寨. 谷英公下三子(2世): (明)管仲良 ; 管仲旻(三房) ; 管仲仁(四房). 仲良公下二子(3世): 管仕全(大房) ; 管仕谦(二房). 大房仕全公派下支祖(5世): (明)管隆 ; 管韶 ; 管辅. 二房仕谦公派下支祖(5世): (明)管沧 ; 管潜 ; 管珊 ; 管琛. 三房仲敏公派下支祖(5世): (明)管洛 ; 管渊. 四房仲仁公派下支祖(5世): (明)管宁 ; 管銮 ; 管檄 ; 管亮 ; 管琳...等 创修新派二十字(21世起): 作述荣先绪 昌开继克家 芳声传代美 彛训定宗华. 注: 创修管洪德,字心齐 ; 管洪章,字毓华. 注 : 此谱不全. 缺卷3(二房珊公与二房琛公). 注: 此谱部分页数破损, 模糊不清, 无法阅读. 注: 此谱书衣的卷数与版心不同,以版心为主. 散居地: 湖北省黄冈县等地. 书名据书衣题及版心题编目.
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1363.管氏宗谱 [6卷,及卷首], v. 7
原书: [出版地不详] : 厚德堂藏板, 民国17[1928]刊. 7册 : 插图, 世系表. 收藏所 : 中国湖北省图书馆. 注 : 此谱缺卷6, 且卷5部分破损. 受姓祖 : 叔鲜. 武王弟,封于管,后因以为姓. 远祖 : (唐) 管千泗,字小鲁. 迁西陵. 派祖(4世) : 管楚志. 房祖(6世) : 管之韶,字武美,号舜甫 ; 管之福,字庆甫 ; 管之芳 ; 管之英. 皆楚志公之孙. 派行 : 千学福楚志 之石亭一元 大则少长永 应公继宇华 时序及家文 正定子必友 其士承启集 义为善自兴. 增派 : 祖泽宗风远 芝兰毓秀芳 创修新世德 玉牒久辉煌. 散居地 : 湖北省麻城县等地. 书名据书衣题, 书名页题, 及版心题编目.
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1361.管氏宗谱 [6卷,及卷首], v. 5
原书: [出版地不详] : 厚德堂藏板, 民国17[1928]刊. 7册 : 插图, 世系表. 收藏所 : 中国湖北省图书馆. 注 : 此谱缺卷6, 且卷5部分破损. 受姓祖 : 叔鲜. 武王弟,封于管,后因以为姓. 远祖 : (唐) 管千泗,字小鲁. 迁西陵. 派祖(4世) : 管楚志. 房祖(6世) : 管之韶,字武美,号舜甫 ; 管之福,字庆甫 ; 管之芳 ; 管之英. 皆楚志公之孙. 派行 : 千学福楚志 之石亭一元 大则少长永 应公继宇华 时序及家文 正定子必友 其士承启集 义为善自兴. 增派 : 祖泽宗风远 芝兰毓秀芳 创修新世德 玉牒久辉煌. 散居地 : 湖北省麻城县等地. 书名据书衣题, 书名页题, 及版心题编目.
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11.管氏宗谱, 11, 卷10下, 大房 清公 16世世乐公起, 1914
原书: [出版地不详] : 九一堂, 民国3[1914]. 14册: 插图, 世系表. 鼻祖(1世): (明)管谷英,号益英,行一籍. 同二兄管谷雄 ; 管谷豪自豫章南昌府南昌县迁居冈邑属九冲堰后易名管家寨. 谷英公下三子(2世): (明)管仲良 ; 管仲旻(三房) ; 管仲仁(四房). 仲良公下二子(3世): 管仕全(大房) ; 管仕谦(二房). 大房仕全公派下支祖(5世): (明)管隆 ; 管韶 ; 管辅. 二房仕谦公派下支祖(5世): (明)管沧 ; 管潜 ; 管珊 ; 管琛. 三房仲敏公派下支祖(5世): (明)管洛 ; 管渊. 四房仲仁公派下支祖(5世): (明)管宁 ; 管銮 ; 管檄 ; 管亮 ; 管琳...等 创修新派二十字(21世起): 作述荣先绪 昌开继克家 芳声传代美 彛训定宗华. 注: 创修管洪德,字心齐 ; 管洪章,字毓华. 注 : 此谱不全. 缺卷3(二房珊公与二房琛公). 注: 此谱部分页数破损, 模糊不清, 无法阅读. 注: 此谱书衣的卷数与版心不同,以版心为主. 散居地: 湖北省黄冈县等地. 书名据书衣题及版心题编目.
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20.管氏族谱, 20, 1127-2017
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