概括半导体和绝缘体之间的差异主要来自两者的能带间隙（Bandgap）宽度不同半导体和绝缘体之间的差异主要来自两者的能带宽度不同。绝缘体的能带比半导体宽，意即绝缘体价带中的载流子必须获得比在半导体中更高的能量才能跳过能带，进入导带中。室温下的半导体导电性有如绝缘体，只有极少数的载流子具有足够的能量进入导带。因此，对于一个在相同电场下的本征半导体和绝缘体会有类似的电特性，不过半导体的能带宽度小于绝缘体也意味着半导体的导电性更容易受到控制而改变。纯质半导体的电气特性可以借由植入杂质的过程而永久改变，这个过程通常称为掺杂。依照掺杂所使用的杂质不同，掺杂后的半导体原子周围可能会多出一个电子或一个空穴，而让半导体材料的导电特性变得与原本不同。如果掺杂进入半导体的杂质浓度够高，半导体也可能会表现出如同金属导体般（类金属）的电性。在掺杂了不同极性杂质的半导体界面处会有一个内建电场（built-inelec...

参考来源相关参考N型半导体P型半导体

晶体管双极性晶体管由发射极，基极，集电极三个电极组成，由通过基极的电流大小可以控制通过发射极和集电极的电流大小，双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力。计算机仿真展现的纳米线MOSFET中反型沟道的形成（电子密度的变化）。随着电压增加，导电沟道形成，电流增加，场效应管开通场效应晶体管由源极，栅极，漏极三电极组成，由施加在栅极上的电压可以控制导电沟道的开通关闭，可用于信号放大，且由于漏电流比双极性晶体管小，是现代数字集成电路的基础。可靠性半导体器件对杂质和灰尘很敏感。所以在繁复的生产工艺中，精确控制杂质和灰尘的等级是非常必要的。最终产品的质量很大程度上依靠生产中的各个相对独立而又相互影响的生产阶段，例如金属化(metallization),芯片材料(chipmaterial),封装等。由于技术飞速进步，新材料和新工艺不断被用于新研发的器件中，设计时间表根据非循...

发展1833年，英国的法拉第（MichaelFaraday）发现的其中一种半导体材料：硫化银，因为它的电阻随着温度上升而降低。1874年，德国的布劳恩（FerdinandBraun），注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。1947年12月23日，巴丁与布拉坦（WalterBrattain）进一步使用点接触晶体管制作出一个语音放大器，晶体管正式发明。1958年9月12日，德州的基尔比（JackKilby），细心地切了一块锗作为电阻，再用一块pn接面做为电容，制造出一个震荡器的电路。1970年，超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功。分类以原料分为：元素半导体材料：以单一元素组成的半导体，属于这一材料的有硼、金刚石、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等，其中以锗、硅、锡研究较早，制备工艺相对成熟。复合半导体材料：由两种或两种以上无机物化合成的半导体，种类繁多，已知的二元化合...

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