B·贾扬特·巴利加
背景
巴利加出生在印度马德拉斯 ,成长于印度班加罗尔附近的小村庄 加拉哈立 ( 英语 : Jalahalli ) 。父亲是巴拉特电子有限公司( Bharat Electronics Limited )的前任负责人 。于1969年取得 印度理工学院马德拉斯校区 ( 英语 : Indian Institute of Technology Madras ) 的学士学位,并分别于1971年及1974年取得壬色列理工学院的硕士与博士学位。
职业生涯
巴利加在纽约州斯克内克塔迪通用电气公司研究发展中心工作达15年 ,后于1988年时担任北卡罗来纳州立大学全职教授。1997年时,获选为杰出大学教授( Distinguished University Professor ) 。巴利加所发明的绝缘栅双极晶体管,结合了电子工程及电机工程两大科学领域。此项发明为消费者节省的金钱超过美金15兆,同时形成智能电网的基础 。巴利加不仅工作于学术领域,同时也是三家利用半导体技术制造产品公司的创办人 。且拥有的美国专利超过100项。2010年,获美国总统奥巴马颁赠代表美国工程师最高荣誉的 美国国家技术与创新奖章 ( 英语 : National Medal of Technology and Innovation ) 。并于2014年因“功率半导体元件的发明、改良及商业化对社会的巨大贡献”获颁IEEE荣誉奖章 。
荣誉
IEEE院士:1983年
IEEE纽维尔奖 ( 英语 : IEEE William E. Newell Power Electronics Award ) :1991年
IEEE利布曼奖 ( 英语 : IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award ) :1993年
IEEE埃伯斯奖 ( 英语 : J J Ebers Award ) :1998年
IEEE兰梅奖章 ( 英语 : IEEE Lamme Medal ) :1999年
美国国家工程院院士:2000年
欧洲科学院 ( 英语 : European Academy of Sciences ) 院士:2005年
美国国家科技与发明奖章 ( 英语 : National Medal of Technology and Innovation ) :2010年
IEEE荣誉奖章:2014年
相关条目
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
功率半导体元件 ( 英语 : power semiconductor device )
功率金属氧化物半导体场效晶体管 ( 英语 : Power MOSFET )
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